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THMD51E20B75

更新时间: 2024-11-11 15:54:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 804K
描述
IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM

THMD51E20B75 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM184
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N184内存密度:4831838208 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM184封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

THMD51E20B75 数据手册

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