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THMD25N11B70

更新时间: 2024-11-11 21:04:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 940K
描述
IC 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM

THMD25N11B70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM184
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):143 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N184
内存密度:2147483648 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:184
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM184
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

THMD25N11B70 数据手册

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