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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.8 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N184 |
| 内存密度： | 2415919104 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 184 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX72 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| THMD25N11B70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM |
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| THMD25N11B75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM |
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| THMD51E01B70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM |
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| THMD51E01B75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM |
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| THMD51E01B80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184, Dynamic RAM |
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| THMD51E20B70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM |
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| THMD51E20B75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM |
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| THMD51E30B75 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM |
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| THMD51E30B80 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184, Dynamic RAM |
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| THMD51N01B70 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM |
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