生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 40 ns |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 168 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX64 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 3.47 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.13 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
THM65V1615BTG-5 | TOSHIBA |
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IC 16M X 64 EDO DRAM MODULE, 50 ns, DMA168, Dynamic RAM | |
THM65V1635ATG-4 | TOSHIBA |
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IC 16M X 64 EDO DRAM MODULE, 40 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THM65V1635ATG-5 | TOSHIBA |
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IC 16M X 64 EDO DRAM MODULE, 50 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THM65V1635BTG-4 | TOSHIBA |
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IC 16M X 64 EDO DRAM MODULE, 40 ns, DMA168, Dynamic RAM | |
THM65V1635BTG-5 | TOSHIBA |
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IC 16M X 64 EDO DRAM MODULE, 50 ns, DMA168, Dynamic RAM | |
THM65V4075ATG-4 | TOSHIBA |
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IC 4M X 64 EDO DRAM MODULE, 40 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THM65V4075ATG-5 | TOSHIBA |
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IC 4M X 64 EDO DRAM MODULE, 50 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THM65V4075BTG-4 | TOSHIBA |
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IC 4M X 64 EDO DRAM MODULE, 40 ns, DMA168, Dynamic RAM | |
THM65V4095ATG-4 | TOSHIBA |
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IC 4M X 64 EDO DRAM MODULE, 40 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | |
THM65V4095BTG-4 | TOSHIBA |
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IC 4M X 64 EDO DRAM MODULE, 40 ns, DMA168, Dynamic RAM |