是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIP-24/6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.74 |
其他特性: | ADDITIONAL -15V OUTPUT ALSO AVAILABLE | 模拟集成电路 - 其他类型: | DC-DC REGULATED POWER SUPPLY MODULE |
最大输入电压: | 36 V | 最小输入电压: | 9 V |
标称输入电压: | 24 V | JESD-30 代码: | R-PDMA-P6 |
长度: | 31.8 mm | 最大负载调整率: | 1% |
功能数量: | 1 | 输出次数: | 2 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 90 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电压: | 15.15 V |
最小输出电压: | 14.85 V | 标称输出电压: | 15 V |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
座面最大高度: | 10.7 mm | 表面贴装: | NO |
技术: | HYBRID | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大总功率输出: | 3 W | 微调/可调输出: | NO |
宽度: | 20.3 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
THM325120BS-60 | TOSHIBA |
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IC 1M X 16 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | |
THM325120BSG-60 | TOSHIBA |
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IC 1M X 16 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | |
THM3251F0BS-70 | TOSHIBA |
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THM3251F0BS70 | |
THM3251F0BSG-60 | TOSHIBA |
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THM3251F0BSG60 | |
THM3251F0BSG70 | TOSHIBA |
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THM3251F0BSG70 | |
THM3251F5BS60 | TOSHIBA |
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MEMORY MODULE,DRAM,FAST PAGE,512KX32,CMOS,SSIM,72PIN,PLASTIC | |
THM3251F5BS-60 | TOSHIBA |
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MEMORY MODULE,DRAM,FAST PAGE,512KX32,CMOS,SSIM,72PIN,PLASTIC | |
THM3251F5BS-70 | TOSHIBA |
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IC 512K X 32 EDO DRAM MODULE, 70 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM | |
THM3251F5BSG60 | TOSHIBA |
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MEMORY MODULE,DRAM,FAST PAGE,512KX32,CMOS,SSIM,72PIN,PLASTIC | |
THM3251F5BSG-60 | TOSHIBA |
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IC 512K X 32 EDO DRAM MODULE, 60 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM |