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TH9030

更新时间： 2024-09-17 03:27:51

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	18K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TH9030 数据手册

TH9030

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .250 2L FLG

The ASI TH9030 is Designed for

General Purpose Power oscillator

Amplifier Applications up to 2.3 GHz.

ØD

.060 x 45°

CHAMFER

FEATURES:

• Common Collector

• Hermetic Microstrip Package

• Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.028 / 0.71

.740 / 18.80

.245 / 6.22

.128 / 3.25

.032 / 0.81

MAXIMUM RATINGS

.255 / 6.48

.132 / 3.35

600 mA

.125 / 3.18

.117 / 2.97

I_C

.110 / 2.79

.117 / 2.97

20 V

45 V

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_DISS

T_J

.560 / 14.22

.790 / 20.07

.225 / 5.72

.165 / 4.19

.003 / 0.08

.058 / 1.47

.119 / 3.02

.149 / 3.78

.570 / 14.48

.810 / 20.57

.235 / 5.97

.185 / 4.70

.007 / 0.18

.068 / 1.73

.135 / 3.43

.187 / 4.75

3.0 V

7.0 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

25 ^OC/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

I_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

_CB= 30 V

_EB= 2.0 V

_CE= 5.0 V

.25

120

---

I_EBO

h_FE

I_C= 100 mA

C_OB

_CB= 20 V

f = 1.0 MHz

f = 2.3 GHz

1.5

1.6

2.5

P_OSC

V_CE= 18 V

I_E= 250 mA

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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