是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-213AB |
包装说明: | O-PELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.53 |
其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY | 最大击穿电压: | 8.61 V |
最小击穿电压: | 7.79 V | 击穿电压标称值: | 8.2 V |
外壳连接: | ISOLATED | 最大钳位电压: | 12.1 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码: | DO-213AB |
JESD-30 代码: | O-PELF-R2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 400 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | 250 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 1 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 7.02 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TGL41-8.2AHE3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AB, PLASTIC, GL41, 2 PIN, Transient | |
TGL41-8.2C | MICROSEMI |
获取价格 |
500 Watt Transient Voltage Suppressor | |
TGL41-8.2C | SEMIKRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 6.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
TGL41-8.2C | TAITRON |
获取价格 |
400W Surface Mount Transient Voltage Suppressor | |
TGL418.2CA | TAITRON |
获取价格 |
400W Surface Mount Transient Voltage Suppressor | |
TGL41-8.2CA | MICROSEMI |
获取价格 |
500 Watt Transient Voltage Suppressor | |
TGL41-8.2CAR7 | DIOTEC |
获取价格 |
Transient Suppressor, | |
TGL41-8.2CATGL41 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-213 | |
TGL41-8.2CTGL41 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 6.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
TGL41-8.2-E3/76 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 6.63V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |