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TGL41-250

更新时间： 2024-09-15 05:04:07
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 瞬态抑制器二极管IOT局域网
页数 文件大小 规格书
4页 135K
描述
Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

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TGL41-250 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-213AB包装说明：O-PELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.66Is Samacsys：N
最大击穿电压：275 V最小击穿电压：225 V
击穿电压标称值：250 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：360 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-213ABJESD-30 代码：O-PELF-R2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：400 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：202 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

TGL41-250 数据手册

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TGL41-6.8 ... TGL41-440CA, TGL41-520  
TGL41-6.8 ... TGL41-440CA, TGL41-520  
Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden für die Oberflächenmontage  
Version 2006-05-10  
Peak pulse power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
400 W  
6.8...520 V  
DO-213AB  
0.12 g  
Nominal breakdown voltage  
Nominale Abbruch-Spannung  
Plastic case MELF  
Kunststoffgehäuse MELF  
Weight approx. – Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
Dimensions - Maße [mm]  
For bidirectional types (add suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
400 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
1 W 2)  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
40 A 3)  
Max. instantaneous forward voltage  
Augenblickswert der Durchlass-Spannung  
IF = 25 A  
VBR ≤ 200 V  
VBR > 200 V  
VF  
VF  
< 3.5 V 3)  
< 6.5 V 3)  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 2)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
< 10 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss  
1
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
2
3
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
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TGL41-250 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		暂无描述
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