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TGL34-15A

更新时间： 2024-11-12 20:33:03
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网IOT二极管
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-213AA, PLASTIC, MINIMELF-2

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TGL34-15A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-213AA
包装说明：O-PELF-R2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.65
Is Samacsys：N最大击穿电压：15.8 V
最小击穿电压：14.3 V击穿电压标称值：15 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：21.2 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-213AA
JESD-30 代码：O-PELF-R2JESD-609代码：e2
最大非重复峰值反向功率耗散：150 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：12.8 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

TGL34-15A 数据手册

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TGL 34-6.8 ... TGL 34-200CA  
Surface Mount  
Unidirektionale und bidirektionale  
Spannungs-Begrenzer-Dioden  
für die Oberflächenmontage  
unidirectional and bidirectional  
Transient Voltage Suppressor Diodes  
Pulse power dissipation – Impuls-Verlustleistung  
150 W  
Nominal breakdown voltage  
6.8...200 V  
Nominale Abbruch-Spannung  
Plastic case MiniMELF  
SOD-80  
Kunststoffgehäuse MiniMELF  
DO-213AA  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.04 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 18  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 18  
Dimensions / Maße in mm  
Marking:  
One blue ring denotes “cathode” and “TVS-Diode family”  
The type numbers are noted only on the lable on the reel  
Kennzeichnung: Ein blauer Ring kennzeichnet “Kathode” und “TVS-Dioden-Familie”  
Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 ꢀs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 ꢀs)  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
IF = 10A  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
VF  
150 W 1)  
500 mW 2)  
20 A 3)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
Max. instantaneous forward voltage  
< 3.5 V 3)  
Augenblickswert der Durchlaßspannung  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150ꢀC  
TS – 50…+150ꢀC  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA < 150 K/W 2)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
< 60 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche  
1
)
)
)
Non-repetitive current pulse see curve IPPM = f (tr)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve IPPM = f (tr)  
2
3
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß  
Unidirectional diodes only – nur für unidirektionale Dioden  
© by SEMIKRON  
020404  
1
1234

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