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TGF4230-SCC

更新时间： 2024-09-18 03:27:55
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TRIQUINT 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
9页 221K
描述
DC - 12 GHz Discrete HFET

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TGF4230-SCC 数据手册

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Product Data Sheet  
December 16, 2002  
DC - 12 GHz Discrete HFET  
TGF4230-SCC  
Key Features and Performance  
•
•
•
•
•
Nominal Pout of 28.5 dBm at 8.5 GHz  
Nominal Gain of 10.0 dB at 8.5 GHz  
Nominal PAE of 55 % at 8.5 GHz  
1200 µm HFET  
0.61 x 0.74 x 0.1 mm (0.024 x 0.029 x  
0.004 in)  
•
Bias at 8 Volts, 96 mA  
Primary Applications  
•
•
•
Cellular Base Stations  
High dynamic-range LNAs  
Military and Space  
Description  
The TriQuint TGF4230-SCC is a single gate 1.2 mm Discrete GaAs Heterostructure Field  
Effect Transistor (HFET) designed for high-efficiency power applications up to 12 GHz in  
Class A and Class AB operation.  
Bond-pad and backside metalization is gold plated for compatibility with eutectic alloy  
attach methods as well as thermocompression and thermosonic wire-bonding processes.  
The TGF4230-SCC is readily assembled using automatic equipment.  
For an Application Note on the use of HFETs, refer to the TriQuint website for the  
Millimeter Wave Division.  
1
TriQuint Semiconductor Texas : (972)994 8465 Fax: (972)994 8504 Web: www.triquint.com  
1234567...9

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