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TGF4112

更新时间： 2024-11-08 22:19:47

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TGF4112 数据手册

TGF4112-EPU

12 mm Discrete HFET

ú 4112

• 0.5 um gate finger length

• Nominal Pout of 6.0 Watts at 2.3 GHz

• Nominal PAE of 54.5% at 2.3 GHz

• Nominal Gain of 12.7 dB at 2.3 GHz

• Die size 36.0 x 81.0 x 4.0 mils

(0.914 x 2.057 x 0.102 mm)

TGF4112-EPU RF Performance at F = 2.3 GHz

Vd = 8.0 V, Vg = -1.3 V, Iq = 0.75 A and T _A= 25°C

Pout

PAE

14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28

Input Power (dBm)

TriQuint Semiconductor Texas Phone: 972 994-8465 Fax 972 994-8504

Web: www.triquint.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TGF4112-EPU	TRIQUINT	获取价格	12 mm Discrete HFET
TGF4118	TRIQUINT	获取价格	18 mm Discrete HFET
TGF4118-EPU	TRIQUINT	获取价格	18 mm Discrete HFET
TGF4124	TRIQUINT	获取价格	24 mm Discrete HFET
TGF4124-EPU	TRIQUINT	获取价格	24 mm Discrete HFET
TGF4212SCCX	TI	获取价格	KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET
TGF4212XCMX	TI	获取价格	KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET
TGF4230	TRIQUINT	获取价格	1.2mm Discrete HFET
TGF4230-EEU	TRIQUINT	获取价格	1.2mm Discrete HFET
TGF4230-SCC	TRIQUINT	获取价格	DC - 12 GHz Discrete HFET