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TFP740

更新时间： 2024-01-19 21:27:11
品牌 Logo 应用领域
TAK_CHEONG 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 292K
描述
N-Channel Power MOSFET 10A, 400V, 0.55Ω

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TFP740 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：680 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.55 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TFP740 数据手册

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®
TAK CHEONG  
SEMICONDUCTOR  
N-Channel Power MOSFET  
10A, 400V, 0.55Ω  
1 = Gate  
2 = Drain  
3 = Source  
General Description  
1
The N-Channel MOSFET is used an advanced termination  
scheme to provide enhanced voltage-blocking capability  
without degrading performance over time. This advanced  
technology has been especially tailored to minimize on-state  
resistance, provide superior switching performance. This  
device is well suited for high efficiency switched mode power  
suppliers, active power factor correction, electronic lamp  
ballasts based half bridge topology.  
2
3
TO-220AB  
DEVICE MARKING DIAGRAM  
L xxyy  
TFP  
XXXX  
L = Tak Cheong Logo  
xxyy = Monthly Date Code  
TFPXXXX = Device Type  
D
Features  
●
●
●
●
Robust high voltage termination  
Avalanche energy specified  
Diode is characterized for use in bridge circuits  
Source to Drain diode recovery time comparable to a  
discrete fast recovery diode.  
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC =25°C, unless otherwise noted )  
Symbol  
Parameter  
Drain- Source Voltage  
Value  
400  
±30  
10  
Units  
V
V
V
DSS  
V
Gate-Source Voltage  
GSS  
I
Drain Current  
A
D
I
Drain Current Pulsed  
40  
A
DM  
Power Dissipation  
(Note 2)  
125  
1.0  
W
P
D
Derating factor above 25℃  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
W/℃  
mJ  
mJ  
℃
E
E
(Note 1)  
(Note 2)  
680  
12.5  
150  
AS  
AR  
T
J
T
- 55 to +150  
℃
stg  
Notes:  
1. L=18.5mH, I =10A, V =50V, R =50Ω, Starting T =25℃  
AS  
DD  
G
J
2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
1
Unit  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
R
θJC  
62  
θJA  
Number: DB-190  
March 2010, Revision B  
Page 1  
1234567

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