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TFP2N60

更新时间： 2024-01-24 08:36:16
品牌 Logo 应用领域
TAK_CHEONG 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 322K
描述
N-Channel Power MOSFET 2.0A, 600V, 4.6Ω

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TFP2N60 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：180 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：2.1 A最大漏源导通电阻：5.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：8.4 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TFP2N60 数据手册

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®
TAK CHEONG  
SEMICONDUCTOR  
N-Channel Power MOSFET  
2.0A, 600V, 4.6Ω  
1 = Gate  
2 = Drain  
3 = Source  
General Description  
1
2
The N-Channel MOSFET is used an advanced termination  
scheme to provide enhanced voltage-blocking capability  
without degrading performance over time. This advanced  
technology has been especially tailored to minimize on-state  
resistance, provide superior switching performance. This  
device is well suited for high efficiency switched mode power  
suppliers, active power factor correction, electronic lamp  
ballasts based half bridge topology.  
3
TO-220AB  
DEVICE MARKING DIAGRAM  
L xxyy  
TFP  
XXXX  
L = Tak Cheong Logo  
xxyy = Monthly Date Code  
TFPXXXX = Device Type  
D
Features  
●
●
●
●
Robust high voltage termination  
Avalanche energy specified  
Diode is characterized for use in bridge circuits  
Source to Drain diode recovery time comparable to a  
discrete fast recovery diode.  
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC =25°C, unless otherwise noted )  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
600  
±30  
2.0  
Drain- Source Voltage  
V
V
DSS  
V
Gate-Source Voltage  
GSS  
I
Drain Current  
A
D
I
Drain Current Pulsed  
8.0  
A
DM  
Power Dissipation  
(Note 2)  
44  
W
P
D
Derating factor above 25℃  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
0.22  
120  
5.4  
W/℃  
mJ  
mJ  
℃
E
E
(Note 1)  
(Note 2)  
AS  
AR  
T
150  
J
T
- 55 to +150  
℃
stg  
Notes:  
1. L=56mH, I =2.0A, V =50V, R =25Ω, Starting T =25℃  
AS  
DD  
G
J
2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
1.95  
Unit  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
R
θJC  
62.5  
θJA  
Number: DB-180  
March 2010, Revision B  
Page 1  
1234567

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与TFP2N60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TFP2N60A TAK_CHEONG

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 		N-Channel Power MOSFET 2.1A, 600V, 5.6Ω
TFP2N65 TAK_CHEONG

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TFP401 TI

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