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TFF5N60 PDF预览

TFF5N60

更新时间： 2024-09-19 08:49:51
品牌 Logo 应用领域
TAK_CHEONG 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
页数 文件大小 规格书
4页 185K
描述
N-Channel Power MOSFET 4.5A, 600V, 2.4Ω

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TFF5N60 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.76Is Samacsys：N
其他特性：HIGH VOLTAGE雪崩能效等级（Eas）：216 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：2.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TFF5N60 数据手册

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®
TAK CHEONG  
SEMICONDUCTOR  
N-Channel Power MOSFET  
4.5A, 600V, 2.4Ω  
1 = Gate  
2 = Drain  
3 = Source  
1
General Description  
2
3
The N-Channel MOSFET is used an advanced termination  
scheme to provide enhanced voltage-blocking capability  
without degrading performance over time. This advanced  
technology has been especially tailored to minimize on-state  
resistance, provide superior switching performance. This  
device is well suited for high efficiency switched mode power  
suppliers, active power factor correction, electronic lamp  
ballasts based half bridge topology.  
TO-220FP  
DEVICE MARKING DIAGRAM  
L = Tak Cheong Logo  
xxyy = Monthly Date Code  
TFFXXXX = Device Type  
L xxxx  
TFF  
XXXX  
Features  
D
●
●
●
●
Robust high voltage termination  
Avalanche energy specified  
Diode is characterized for use in bridge circuits  
Source to Drain diode recovery time comparable to a  
discrete fast recovery diode.  
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC =25°C, unless otherwise noted )  
Symbol  
Parameter  
Drain- Source Voltage  
Value  
600  
±30  
4.5  
Units  
V
V
V
DSS  
V
Gate-Source Voltage  
GSS  
I
Drain Current  
A
D
I
Drain Current Pulsed  
18  
A
DM  
Power Dissipation  
(Note 2)  
40  
W
P
D
Derating factor above 25℃  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Repetitive Avalanche Energy  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
0.32  
216  
10  
W/℃  
mJ  
mJ  
℃
E
E
(Note 1)  
(Note 2)  
AS  
AR  
T
150  
J
T
- 55 to +150  
℃
stg  
Notes:  
1. L=20mH, I =4.5A, V =50V, R =50Ω, Starting T =25℃  
AS  
DD  
G
J
2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
3.12  
Unit  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
R
θJC  
62.5  
θJA  
Number: DB-198  
March 2010, Revision B  
Page 1  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TFF5SP0040C CK-COMPONENTS

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TFF730 TAK_CHEONG

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