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TFD312S

更新时间： 2024-09-16 22:19:51
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
TO-220F 3A Thyristor with built-in Avalanche diode

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TFD312S 数据手册

 浏览型号TFD312S的Datasheet PDF文件第2页 
TO-220F 3A Thyristor with built-in Avalanche diode  
TFD312S series  
■Features  
●With built-in Avalanche diode  
External Dimensions  
±0.2  
4.2  
±0.2  
±0.2  
(Unit: mm)  
φ
10.0  
3.3  
C0.5  
2.8  
●Average on-state current: IT(AV)=3A  
●Gate trigger current: IGT=10mA max  
●Isolation voltage: VISO=1500V(50Hz AC, RMS, 1min.)  
A
K
a
b
±0.15  
1.35  
G
±0.15  
1.35  
0.85  
+0.2  
–0.1  
+0.2  
–0.1  
±0.2  
2.54  
2.54 0.45  
2.4  
±0.2  
2.2  
(1). Cathode(K)  
(2). Anode(A)  
(3). Gate(G)  
a. Part Number  
b. Lot Number  
Weight: Approx. 2.1g  
(1) (2) (3)  
■Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
VDRM  
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
Ratings  
✽
Unit  
Conditions  
Tj=–10 to +125°C, RGK=1kΩ  
Repetitive peak off-state voltage  
Average on-state current  
RMS on-state current  
V
A
A
A
3.0  
4.7  
60  
50Hz Half-cycle sinewave, 180°, Continuous current, Tc=92°C  
Surge on-state current  
Squared rated current and time product  
Peak forward gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power loss  
50Hz Half-cycle sinewave, Peak value, Non-repetitive, Tj=125°C  
I2t  
18  
A sec  
V
2ms  
t
10ms  
2
•
VFGM  
VRGM  
PGM  
PG(AV)  
Tj  
1.5  
5.0  
5.0  
0.5  
f
f
f
50Hz, duty 10%  
50Hz  
V
W
50Hz, duty 10%  
Average gate power loss  
Junction temperature  
W
–
–
10 to  
40 to  
1500  
+
125  
°C  
°C  
V
Storage temperature  
Tstg  
VISO  
+125  
Isolation voltage  
50Hz Sine wave, RMS, Terminal to case, 1min.  
✽VDRM  
Rank  
Ratings  
-C  
20  
-F  
-G  
45  
-J  
-K  
100  
-L  
-M  
-N  
170  
-O  
190  
35  
80  
120  
145  
■Electrical Characteristics  
(
Tj=25°C, unless otherwise specified)  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
0.2  
max  
mA  
µA  
V
1.0  
Tj=125°C, VD=VDRM, RGK=1kΩ  
Tj=25°C, VD=VDRM, RGK=1kΩ  
Off-state current  
IDRM  
100  
Breakover voltage  
VBO  
IBO  
✽
Breakover current  
15  
1.4  
1.0  
10  
mA  
V
On-state voltage  
VTM  
VGT  
IGT  
ITM=5A  
Gate trigger voltage  
Gate trigger current  
Gate non-trigger voltage  
Holding current  
V
VD=6V, RL=10Ω  
0.2  
0.1  
mA  
V
VGT  
IH  
VD=VDRM, Tj=125°C, RGK=1kΩ  
RGK=1kΩ, Tj=125°C  
15  
mA  
V/µS  
°C/W  
Critical rate-of-rise of off-state voltage  
Thermal resistance  
dv/dt  
Rth  
40  
V =V  
D
, Tj=125°C, R =1kΩ, C =0.033µF  
GK GK  
DRM  
5.0  
Junction to case  
✽VBO  
Rank  
-C  
27  
30  
33  
-F  
50  
55  
60  
-G  
-J  
-K  
-L  
-M  
-N  
-O  
min  
typ  
60  
65  
70  
90  
115  
125  
135  
140  
150  
160  
163  
175  
187  
185  
200  
215  
210  
225  
240  
100  
110  
Ratings  
max  
Application example  
Reg.  
Overvoltage detection  
TFD312S  
Input  
Load  
Overcurrent detection  
26  
12

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与TFD312S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TFD312S-F ALLEGRO

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 35V V(DRM), 35V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, T
TFD312S-F SANKEN

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 		Silicon Controlled Rectifier, 4.71A I(T)RMS, 35V V(DRM), 1 Element, TO-220AB, TO-220F, 3 P
TFD312S-G ALLEGRO

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 45V V(DRM), 45V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, T
TFD312S-G SANKEN

获取价格

 		暂无描述
TFD312S-K ALLEGRO

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
TFD312S-L SANKEN

获取价格

 		暂无描述
TFD312S-M ALLEGRO

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 145V V(DRM), 145V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
TFD312S-N ALLEGRO

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 170V V(DRM), 170V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
TFD312S-O SANKEN

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 4.71A I(T)RMS, 190V V(DRM), 1 Element, TO-220AB, TO-220F, 3
TFD33 COOPER

获取价格

 		Circuit Protection Solutions Low Voltage Fuse Links Catalogue

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