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TF821M PDF预览

TF821M

更新时间： 2024-11-27 22:19:51
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三垦 - SANKEN 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
TO-220 8A Thyristor

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TF821M 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.74Is Samacsys：N
标称电路换相断开时间：50 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us最大直流栅极触发电流：15 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大漏电流：2 mA通态非重复峰值电流：100 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：8000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12.56 A断态重复峰值电压：200 V
重复峰值反向电压：200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

TF821M 数据手册

 浏览型号TF821M的Datasheet PDF文件第2页 
TO-220 8A Thyristor  
TF821M, TF841M, TF861M  
■Features  
●Repetitive peak off-state voltage: VDRM=200, 400, 600V  
External Dimensions  
5.0max  
(Unit: mm)  
10.4max  
2.1max  
●Average on-state current: IT(AV)=8A  
●Gate trigger current: IGT=15mA max  
±0.1  
φ
3.75  
a
b
±0.15  
1.35  
+0.2  
–0.1  
0.65  
±0.2  
±0.1  
±0.1  
1.7  
2.5  
2.5  
(1). Cathode(K)  
(2). Anode(A)  
(3). Gate(G)  
a. Part Number  
b. Lot Number  
(1) (2) (3)  
Weight: Approx. 2.6g  
■Absolute Maximum Ratings  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
TF821M TF841M TF861M  
VDRM  
VRRM  
VDSM  
VRSM  
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
200  
200  
300  
300  
400  
400  
600  
600  
700  
700  
V
V
Repetitive peak off-state voltage  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak off-state voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Average on-state current  
RMS on-state current  
Tj=–40 to +125°C, RGK=1kΩ  
500  
V
500  
V
8.0  
A
50Hz Half-cycle sinewave, Continuous current, Tc=83°C  
50Hz Half-cycle sinewave, Single shot, Non-repetitive, Tj=125°C  
12.6  
A
Surge on-state current  
120  
A
Peak forward gate current  
Peak forward gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power loss  
IFGM  
2.0  
A
f
50Hz, duty 10%  
VFGM  
VRGM  
PGM  
10  
V
5.0  
V
f
f
50Hz  
5.0  
W
W
°C  
°C  
50Hz, duty 10%  
Average gate power loss  
Junction temperature  
PG(AV)  
Tj  
0.5  
–40 to +125  
–40 to +125  
Storage temperature  
Tstg  
■Electrical Characteristics  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
2.0  
2.0  
1.4  
1.5  
15  
mA  
mA  
V
Off-state current  
IDRM  
IRRM  
VTM  
VGT  
IGT  
Tj=125°C, VD=VDRM(VRRM), RGK=1kΩ  
TC=25°C, ITM=15A  
Reverse current  
On-state voltage  
Gate trigger voltage  
Gate trigger current  
Gate non-trigger voltage  
Holding current  
V
VD=6V, RL=10Ω, TC=25°C  
5.0  
mA  
V
VGD  
IH  
0.1  
VD=1/2×VDRM, Tj=125°C, RGK=1kΩ  
RGK=1kΩ, Tj=25°C  
4.0  
50  
30  
mA  
V/µS  
µS  
Critical rate-of-rise of off-state voltage  
Turn-off time  
dv/dt  
tq  
VD=1/2×VDRM, Tj=125°C, RGK=1kΩ, CGK=0.033µF  
Tc=25°C  
Junction to case  
Thermal resistance  
Rth  
2.7  
°C/W  
14  
12

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