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TE48F4400P0TB00

更新时间： 2024-10-30 19:46:39

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恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
96页	1378K
描述
Flash, 32MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56

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TE48F4400P0TB00 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20
针数：	56	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.66	最长访问时间：	95 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
长度：	18.4 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
部门数/规模：	8, 510	端子数量：	56
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP56,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	4 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.00039 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.028 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

TE48F4400P0TB00 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory

(P33)

Datasheet

Product Features

High performance:

Security:

— 85 ns initial access

— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst

mode

— Buffered Enhanced Factory Programming

(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)

— 3.0 V buffered programming at 7 µs/byte

(Typ)

— One-Time Programmable Registers:

— 64 unique factory device identifier bits

— 2112 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP space in Main Array:

— Four pre-defined 128-KByte blocks (top or

bottom configuration).

— Up to Full Array OTP Lockout

— Absolute write protection: V_PP= V_SS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

Software:

Architecture:

— Multi-Level Cell Technology: Highest

Density at Lowest Cost

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— 128-KByte main blocks

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended

Command Set compatible

— Common Flash Interface capable

Voltage and Power:

Density and Packaging

— V_CC(core) voltage: 2.3 V – 3.6 V

— V_CCQ(I/O) voltage: 2.3 V – 3.6 V

— Standby current: 35µA (Typ) for 64-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

16 mA (Typ) at 52MHz

— 56-Lead TSOP package (64, 128, 256, 512-

Mbit)

— 64-Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,

128, 256, 512-Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,

512-Mbit)

— 16-bit wide data bus

Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology

314749-05

November 2007

12 3 4 5 6 7...96

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