Datasheet > 存储 > 闪存> TE28F800CV-T80

TE28F800CV-T80

更新时间： 2024-11-12 22:59:23

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
55页	629K
描述
2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY

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TE28F800CV-T80 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.75	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	USER-SELECTABLE 5V OR 12V VPP; DEEP POWER DOWN; HARDWARE WRITE PROTECT; TOP BOOT BLOCK	备用内存宽度：	16
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	18.4 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,7	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3/5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,96K,128K
子类别：	Flash Memories	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

TE28F800CV-T80 数据手册

SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS

REFERENCE ONLY

2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK

FLASH MEMORY FAMILY

28F200BV-T/B, 28F200CV-T/B, 28F002BV-T/B

Intel SmartVoltage Technology

5 V or 12 V Program/Erase

Extended Block Erase Cycling

100,000 Cycles at Commercial Temp

10,000 Cycles at Extended Temp

3.3 V or 5 V Read Operation

Very High-Performance Read

5 V: 60 ns Access Time

Automated Word/Byte Program and

Block Erase

3 V: 110 ns Access Time

Command User Interface

Status Registers

Erase Suspend Capability

Low Power Consumption

Max 60 mA Read Current at 5 V

Max 30 mA Read Current at

3.3 V–3.6 V

SRAM-Compatible Write Interface

Automatic Power Savings Feature

x8/x16-Selectable Input/Output Bus

28F200 for High Performance 16- or

32-bit CPUs

Reset/Deep Power-Down Input

0.2 µA I_CCTypical

Provides Reset for Boot Operations

x8-Only Input/Output Architecture

28F002B for Space-Constrained

8-bit Applications

Hardware Data Protection Feature

Absolute Hardware-Protection for

Boot Block

Optimized Array Blocking Architecture

One 16-KB Protected Boot Block

Two 8-KB Parameter Blocks

Write Lockout during Power

Transitions

Industry-Standard Surface Mount

Packaging

96-KB and 128-KB Main Blocks

Top or Bottom Boot Locations

40-, 48-, 56-Lead TSOP

44-Lead PSOP

Extended Temperature Operation

–40 °C to +85 °C

Footprint Upgradeable to 4-Mbit and

8-Mbit Boot Block Flash Memories

ETOX™ IV Flash Technology

New Design Recommendations:

For new 2.7 V–3.6 V V_CCdesigns with this device, Intel recommends using the Smart 3 Advanced Boot

Block. Reference Smart 3 Advanced Boot Block 4-Mbit, 8-Mbit, 16-Mbit Flash Memory Family datasheet,

order number 290580.

For new 5 V V_CCdesigns with this device, Intel recommends using the 2-Mbit Smart 5 Boot Block. Reference

Smart 5 Flash Memory Family 2, 4, 8 Mbit datasheet, order number 290599.

These documents are also available at Intel’s website, http://www.intel.com/design/flcomp.

December 1997

Order Number: 290531-005

12 3 4 5 6 7...55

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与TE28F800CV-T80相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TE28F800CVT90	INTEL	获取价格	8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800CV-T90	INTEL	获取价格	Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
TE28F800F3B95	ROCHESTER	获取价格	512KX16 FLASH 2.7V PROM, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56
TE28F800F3T120	ROCHESTER	获取价格	512KX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56
TE-2Q0TA.05MH2%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 50uH, 2%, 1 Element
TE-2Q0TA.1MH2%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 100uH, 2%, 1 Element
TE-2Q0TA.475MH2%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 475uH, 2%, 1 Element
TE-2Q0TD10MH1%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 10000uH, 1%, 1 Element
TE-2Q0TM.475MH2%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 475uH, 2%, 1 Element
TE-2Q0TM10MH1%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 10000uH, 1%, 1 Element

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