5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > 闪存> TE28F800C3BA110
TE28F800C3BA110 PDF预览

TE28F800C3BA110

更新时间： 2024-09-09 04:08:39
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
68页 1132K
描述
Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)

阅读下载

中文翻译

获取价格

TE28F800C3BA110 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.7Is Samacsys：N
最长访问时间：110 ns其他特性：USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,15
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：4K,32K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.055 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

TE28F800C3BA110 数据手册

 浏览型号TE28F800C3BA110的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TE28F800C3BA110的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TE28F800C3BA110的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TE28F800C3BA110的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TE28F800C3BA110的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TE28F800C3BA110的Datasheet PDF文件第7页 
£
Intel Advanced+ Boot Block Flash  
Memory (C3)  
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3 (x16)  
Datasheet  
Product Features  
■ Flexible SmartVoltage Technology  
—2.7 V– 3.6 V Read/Program/Erase  
—12 V for Fast Production Programming  
■ 128-bit Protection Register  
—64 bit Unique Device Identifier  
—64 bit User Programmable OTP Cells  
■ 1.65 V–2.5 V or 2.7 V–3.6 V I/O Option  
■ Extended Cycling Capability  
—Minimum 100,000 Block Erase Cycles  
—Reduces Overall System Power  
■ Software  
■ High Performance  
—Intel® Flash Data Integrator (FDI)  
—Supports Top or Bottom Boot Storage,  
Streaming Data (e.g., voice)  
—Intel Basic Command Set  
—Common Flash Interface (CFI)  
—2.7 V– 3.6 V: 70 ns Max Access Time  
■ Optimized Architecture for Code Plus  
Data Storage  
—Eight 4 Kword Blocks, Top or Bottom  
Parameter Boot  
■ Standard Surface Mount Packaging  
—48-Ball µBGA*/VFBGA  
—Up to One Hundred-Twenty-Seven 32  
Kword Blocks  
—Fast Program Suspend Capability  
—Fast Erase Suspend Capability  
—64-Ball Easy BGA Packages  
—48-Lead TSOP Package  
■ ETOX™ VIII (0.13 µm) Flash  
■ Flexible Block Locking  
Technology  
—Lock/Unlock Any Block  
—Full Protection on Power-Up  
—WP# Pin for Hardware Block Protection  
—16, 32 Mbit  
■ ETOX™ VII (0.18 µm) Flash Technology  
—16, 32, 64 Mbit  
■ Low Power Consumption  
—9 mA Typical Read  
■ ETOX™ VI (0.25 µm) Flash Technology  
—8, 16 and 32 Mbit  
—7 A Typical Standby with Automatic  
Power Savings Feature (APS)  
■ Extended Temperature Operation  
—–40 °C to +85 °C  
The Intel® Advanced+ Book Block Flash Memory (C3) device, manufactured on Intel’s latest  
0.13 µm and 0.18 µm technologies, represents a feature-rich solution for low-power applications.  
The C3 device incorporates low-voltage capability (3 V read, program, and erase) with high-  
speed, low-power operation. Flexible block locking allows any block to be independently locked  
or unlocked. Add to this the Intel® Flash Data Integrator (FDI) software and you have a cost-  
effective, flexible, monolithic code plus data storage solution. Intel® Advanced+ Boot Block Flash  
Memory (C3) products will be available in 48-lead TSOP, 48-ball CSP, and 64-ball Easy BGA  
packages. Additional information on this product family can be obtained by accessing the Intel®  
Flash website: http://www.intel.com/design/flash.  
Notice: This specification is subject to change without notice. Verify with your local Intel sales  
office that you have the latest datasheet before finalizing a design.  
Order Number: 290645-017  
October 2003  
1234567...68

中文翻译

下载PDF

与TE28F800C3BA110相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TE28F800C3BA70 INTEL

获取价格

 		Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
TE28F800C3BA90 INTEL

获取价格

 		Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
TE28F800C3BC70 INTEL

获取价格

 		Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
TE28F800C3BD70 INTEL

获取价格

 		Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
TE28F800C3T110 INTEL

获取价格

 		3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800C3T90 INTEL

获取价格

 		3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800C3TA110 INTEL

获取价格

 		Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
TE28F800C3TA70 INTEL

获取价格

 		Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
TE28F800C3TA90 INTEL

获取价格

 		Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
TE28F800C3TC70 INTEL

获取价格

 		Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)

与TE28F800C3BA110相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证