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TE28F800B3B110

更新时间： 2024-11-12 22:24:39
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
48页 296K
描述
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY

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TE28F800B3B110 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.72Is Samacsys：N
最长访问时间：110 ns其他特性：USER-SELECTABLE 12V VPP; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,15端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8/3.6,3/3.3 V
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：4K,32K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.035 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：MOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

TE28F800B3B110 数据手册

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PRELIMINARY  
E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK  
4-, 8-, 16-, 32-MBIT  
FLASH MEMORY FAMILY  
28F400B3, 28F800B3, 28F160B3, 28F320B3  
28F008B3, 28F016B3, 28F032B3  
Flexible SmartVoltage Technology  
Flash Data Integrator Software  
Flash Memory Manager  
2.7 V–3.6 V Read/Program/Erase  
12 V VPP Fast Production  
Programming  
System Interrupt Manager  
Supports Parameter Storage,  
Streaming Data (e.g., Voice)  
2.7 V or 1.65 V I/O Option  
Reduces Overall System Power  
Automated Program and Block Erase  
Status Registers  
High Performance  
2.7 V–3.6 V: 90 ns Max Access Time  
3.0 V–3.6 V: 80 ns Max Access Time  
Extended Cycling Capability  
Minimum 100,000 Block Erase  
Cycles Guaranteed  
Optimized Block Sizes  
Eight 8-KB Blocks for Data,  
Top or Bottom Locations  
Up to Sixty-Three 64-KB Blocks for  
Code  
Automatic Power Savings Feature  
Typical ICCS after Bus Inactivity  
Standard Surface Mount Packaging  
48-Ball µBGA* Package  
Block Locking  
48-Lead TSOP Package  
40-Lead TSOP Package  
VCC-Level Control through WP#  
Low Power Consumption  
Footprint Upgradeable  
Upgrade Path for 4-, 8-, 16-, and 32-  
Mbit Densities  
10 mA Typical Read Current  
Absolute Hardware-Protection  
VPP = GND Option  
ETOX™ VI (0.25 µ) Flash Technology  
VCC Lockout Voltage  
Extended Temperature Operation  
–40 °C to +85 °C  
The Smart 3 Advanced Boot Block, manufactured on Intel’s latest 0.25 µ technology, represents a feature-  
rich solution at overall lower system cost. Smart 3 flash memory devices incorporate low voltage capability  
(2.7 V read, program and erase) with high-speed, low-power operation. Several new features have been  
added, including the ability to drive the I/O at 1.65 V, which significantly reduces system active power and  
interfaces to 1.65 V controllers. A new blocking scheme enables code and data storage within a single  
device. Add to this the Intel-developed Flash Data Integrator (FDI) software, and you have a cost-effective,  
monolithic code plus data storage solution. Smart 3 Advanced Boot Block products will be available in 40-  
lead and 48-lead TSOP and 48-ball µBGA* packages. Additional information on this product family can be  
obtained by accessing Intel’s WWW page: http://www.intel.com/design/flash.  
July 1998  
Order Number: 290580-005  
1234567...48

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