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TE28F640P33T85A PDF预览

TE28F640P33T85A

更新时间： 2024-11-14 15:18:11
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
96页 1378K
描述
64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory

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TE28F640P33T85A 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：14 X 20 MM, TSOP-56
针数：56Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.55Is Samacsys：N
最长访问时间：85 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：TOPJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：56字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：235编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

TE28F640P33T85A 数据手册

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®
Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory  
(P33)  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance:  
„ Security:  
— 85 ns initial access  
— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— 25 ns asynchronous-page read mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst  
mode  
— Buffered Enhanced Factory Programming  
(BEFP) at 5 µs/byte (Typ)  
— 3.0 V buffered programming at 7 µs/byte  
(Typ)  
— One-Time Programmable Registers:  
— 64 unique factory device identifier bits  
— 2112 user-programmable OTP bits  
— Selectable OTP space in Main Array:  
— Four pre-defined 128-KByte blocks (top or  
bottom configuration).  
— Up to Full Array OTP Lockout  
— Absolute write protection: VPP = VSS  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down capability  
„ Software:  
„ Architecture:  
— Multi-Level Cell Technology: Highest  
Density at Lowest Cost  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or  
bottom configuration  
— 128-KByte main blocks  
— 20 µs (Typ) program suspend  
— 20 µs (Typ) erase suspend  
— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized  
— Basic Command Set and Extended  
Command Set compatible  
— Common Flash Interface capable  
„ Voltage and Power:  
„ Density and Packaging  
— VCC (core) voltage: 2.3 V – 3.6 V  
— VCCQ (I/O) voltage: 2.3 V – 3.6 V  
— Standby current: 35µA (Typ) for 64-Mbit  
— 4-Word synchronous read current:  
16 mA (Typ) at 52MHz  
— 56-Lead TSOP package (64, 128, 256, 512-  
Mbit)  
— 64-Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,  
128, 256, 512-Mbit)  
— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,  
512-Mbit)  
— 16-bit wide data bus  
„ Quality and Reliability  
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— ETOX™ VIII process technology  
314749-05  
November 2007  
1234567...96

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TE28F640P33T85A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JS28F640P33T85 NUMONYX

功能相似

 Flash, 4MX16, 85ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56

与TE28F640P33T85A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TE28F800B3 INTEL

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 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800B3-120 INTEL

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 		Flash, 512KX16, 120ns, PDSO48, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-48
TE28F800B3B110 INTEL

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TE28F800B3B90 INTEL

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 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800B3BA110 INTEL

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 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F800B3BA90 INTEL

获取价格

 		3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory

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