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TE28F640J3D75A

更新时间： 2024-11-13 15:54:11

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
66页	769K
描述
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56

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TE28F640J3D75A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	14 X 20 MM, TSOP-56	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.64
最长访问时间：	75 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	长度：	18.4 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	56	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

TE28F640J3D75A 数据手册

Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 v D)

32, 64, 128, and 256 Mbit (Monolithic)

Datasheet

Product Features

Architecture

Security

— Symmetrical 128-Kbyte blocks

— 256 Mbit (256 blocks)

— 128 Mbit (128 blocks)

— 64 Mbit (64 blocks)

— 32 Mbit (32 blocks)

— Enhanced security options for code

protection

— 128-bit Protection Register:

64-bits Unique device identifier bits

64-bits User-programmable OTP bits

— Absolute protection with V_PEN= GND

— Individual block locking

Performance

— Block erase/program lockout during power

transitions

— 75 ns Initial Access Speed (32,64,128

Mbit densities)

— 95 ns Initial Access Speed (256Mbit only)

— 25 ns 8-word and 4-word Asynchronous

page-mode reads

Software

— Program and erase suspend support

— Flash Data Integrator (FDI), Common Flash

Interface (CFI) Compatible

— 32-Byte Write buffer;

4 µs per Byte Effective programming time

Quality and Reliability

System Voltage

— Operating temperature:

-40 °C to +85 °C

— 100K Minimum erase cycles per block

— 0.13 µm ETOX™ VIII Process technology

— V_CC= 2.7 V to 3.6 V

— V_CCQ= 2.7 V to 3.6 V

Packaging

— 56-Lead TSOP (32, 64, 128, 256 Mbit)

— 64-Ball Numonyx Easy BGA package (32,

64, 128 and 256 Mbit)

316577-06

December 2007

12 3 4 5 6 7...66

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TE28F640J3D75E	ROCHESTER	获取价格	4MX16 FLASH 2.7V PROM, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56
TE28F640J3F105A	MICRON	获取价格	32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
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