Datasheet > 存储 > 闪存> TE28F320J3D-75

TE28F320J3D-75

更新时间： 2024-09-25 06:01:35

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
68页	913K
描述
Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 v. D)

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TE28F320J3D-75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20
针数：	56	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	75 ns	备用内存宽度：	8
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
长度：	18.4 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	32
端子数量：	56	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	4/8 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00012 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.054 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

TE28F320J3D-75 数据手册

Numonyx™ Embedded Flash Memory

(J3 v. D)

32, 64, 128, and 256 Mbit

Datasheet

Product Features

Architecture

Security

— High-density symmetrical 128-Kbyte blocks

— 256 Mbit (256 blocks)

— 128 Mbit (128 blocks)

— 64 Mbit (64 blocks)

— 32 Mbit (32 blocks)

Performance

— Enhanced security options for code

protection

— 128-bit Protection Register

— 64-bit Unique device identifier

— 64-bit User-programmable OTP cells

— Absolute protection with V_PEN= GND

— Individual block locking

— Block erase/program lockout during power

transitions

— 75 ns Initial Access Speed (128/64/32

-Mbit densities)

— 95 ns Initial Access Speed (256 Mbit only)

— 25 ns 8-word and 4-word Asynchronous

page-mode reads

Software

— Program and erase suspend support

— 32-Byte Write buffer

— 4 µs per Byte Effective programming time

— Flash Data Integrator (FDI), Common Flash

Interface (CFI) Compatible

Quality and Reliability

System Voltage and Power

— V_CC= 2.7 V to 3.6 V

— V_CCQ= 2.7 V to 3.6 V

Packaging

— Operating temperature:

-40 °C to +85 °C

— 100K Minimum erase cycles per block

— 0.13 µm ETOX™ VIII Process

— 56-Lead TSOP package (32, 64, 128 Mbit

only)

— 64-Ball Numonyx Easy BGA package (32,

42, 128 and 256 Mbit)

308551-05

November 2007

12 3 4 5 6 7...68

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TE28F320J3D75D	MICRON	获取价格	32Mb, 64Mb, 128Mb, 256Mb Monolithic Embedded Parallel NOR Flash Memory
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