Datasheet > 存储 > 闪存> TE28F320C3TC90

TE28F320C3TC90

更新时间： 2024-11-14 04:49:31

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
68页	1132K
描述
Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)

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TE28F320C3TC90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	12 X 20 MM, TSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; TOP BOOT BLOCK
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	8,63
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	4K,32K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

TE28F320C3TC90 数据手册

Intel Advanced+ Boot Block Flash

Memory (C3)

28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3 (x16)

Datasheet

Product Features

■ Flexible SmartVoltage Technology

—2.7 V– 3.6 V Read/Program/Erase

—12 V for Fast Production Programming

■ 128-bit Protection Register

—64 bit Unique Device Identifier

—64 bit User Programmable OTP Cells

■ 1.65 V–2.5 V or 2.7 V–3.6 V I/O Option

■ Extended Cycling Capability

—Minimum 100,000 Block Erase Cycles

—Reduces Overall System Power

■ Software

■ High Performance

—Intel^®Flash Data Integrator (FDI)

—Supports Top or Bottom Boot Storage,

Streaming Data (e.g., voice)

—Intel Basic Command Set

—Common Flash Interface (CFI)

—2.7 V– 3.6 V: 70 ns Max Access Time

■ Optimized Architecture for Code Plus

Data Storage

—Eight 4 Kword Blocks, Top or Bottom

Parameter Boot

■ Standard Surface Mount Packaging

—48-Ball µBGA*/VFBGA

—Up to One Hundred-Twenty-Seven 32

Kword Blocks

—Fast Program Suspend Capability

—Fast Erase Suspend Capability

—64-Ball Easy BGA Packages

—48-Lead TSOP Package

■ ETOX™ VIII (0.13 µm) Flash

■ Flexible Block Locking

Technology

—Lock/Unlock Any Block

—Full Protection on Power-Up

—WP# Pin for Hardware Block Protection

—16, 32 Mbit

■ ETOX™ VII (0.18 µm) Flash Technology

—16, 32, 64 Mbit

■ Low Power Consumption

—9 mA Typical Read

■ ETOX™ VI (0.25 µm) Flash Technology

—8, 16 and 32 Mbit

—7 A Typical Standby with Automatic

Power Savings Feature (APS)

■ Extended Temperature Operation

—–40 °C to +85 °C

The Intel^®Advanced+ Book Block Flash Memory (C3) device, manufactured on Intel’s latest

0.13 µm and 0.18 µm technologies, represents a feature-rich solution for low-power applications.

The C3 device incorporates low-voltage capability (3 V read, program, and erase) with high-

speed, low-power operation. Flexible block locking allows any block to be independently locked

or unlocked. Add to this the Intel^®Flash Data Integrator (FDI) software and you have a cost-

effective, flexible, monolithic code plus data storage solution. Intel^®Advanced+ Boot Block Flash

Memory (C3) products will be available in 48-lead TSOP, 48-ball CSP, and 64-ball Easy BGA

packages. Additional information on this product family can be obtained by accessing the Intel^®

Flash website: http://www.intel.com/design/flash.

Notice: This specification is subject to change without notice. Verify with your local Intel sales

office that you have the latest datasheet before finalizing a design.

Order Number: 290645-017

October 2003

12 3 4 5 6 7...68

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