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Datasheet > 存储 > 闪存> TE28F320C3BA110
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TE28F320C3BA110

更新时间： 2024-11-14 04:08:39
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
68页 1132K
描述
Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)

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TE28F320C3BA110 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.51
Is Samacsys：N最长访问时间：110 ns
其他特性：USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; BOTTOM BOOT BLOCK启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,63端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：1.8/3.3,3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：4K,32K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.055 mA最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

TE28F320C3BA110 数据手册

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£
Intel Advanced+ Boot Block Flash  
Memory (C3)  
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3, 28F640C3 (x16)  
Datasheet  
Product Features  
■ Flexible SmartVoltage Technology  
—2.7 V– 3.6 V Read/Program/Erase  
—12 V for Fast Production Programming  
■ 128-bit Protection Register  
—64 bit Unique Device Identifier  
—64 bit User Programmable OTP Cells  
■ 1.65 V–2.5 V or 2.7 V–3.6 V I/O Option  
■ Extended Cycling Capability  
—Minimum 100,000 Block Erase Cycles  
—Reduces Overall System Power  
■ Software  
■ High Performance  
—Intel® Flash Data Integrator (FDI)  
—Supports Top or Bottom Boot Storage,  
Streaming Data (e.g., voice)  
—Intel Basic Command Set  
—Common Flash Interface (CFI)  
—2.7 V– 3.6 V: 70 ns Max Access Time  
■ Optimized Architecture for Code Plus  
Data Storage  
—Eight 4 Kword Blocks, Top or Bottom  
Parameter Boot  
■ Standard Surface Mount Packaging  
—48-Ball µBGA*/VFBGA  
—Up to One Hundred-Twenty-Seven 32  
Kword Blocks  
—Fast Program Suspend Capability  
—Fast Erase Suspend Capability  
—64-Ball Easy BGA Packages  
—48-Lead TSOP Package  
■ ETOX™ VIII (0.13 µm) Flash  
■ Flexible Block Locking  
Technology  
—Lock/Unlock Any Block  
—Full Protection on Power-Up  
—WP# Pin for Hardware Block Protection  
—16, 32 Mbit  
■ ETOX™ VII (0.18 µm) Flash Technology  
—16, 32, 64 Mbit  
■ Low Power Consumption  
—9 mA Typical Read  
■ ETOX™ VI (0.25 µm) Flash Technology  
—8, 16 and 32 Mbit  
—7 A Typical Standby with Automatic  
Power Savings Feature (APS)  
■ Extended Temperature Operation  
—–40 °C to +85 °C  
The Intel® Advanced+ Book Block Flash Memory (C3) device, manufactured on Intel’s latest  
0.13 µm and 0.18 µm technologies, represents a feature-rich solution for low-power applications.  
The C3 device incorporates low-voltage capability (3 V read, program, and erase) with high-  
speed, low-power operation. Flexible block locking allows any block to be independently locked  
or unlocked. Add to this the Intel® Flash Data Integrator (FDI) software and you have a cost-  
effective, flexible, monolithic code plus data storage solution. Intel® Advanced+ Boot Block Flash  
Memory (C3) products will be available in 48-lead TSOP, 48-ball CSP, and 64-ball Easy BGA  
packages. Additional information on this product family can be obtained by accessing the Intel®  
Flash website: http://www.intel.com/design/flash.  
Notice: This specification is subject to change without notice. Verify with your local Intel sales  
office that you have the latest datasheet before finalizing a design.  
Order Number: 290645-017  
October 2003  
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