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TE28F256P33B95A

更新时间： 2024-11-14 21:13:19
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
88页 942K
描述
Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56

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TE28F256P33B95A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：14 X 20 MM, TSOP-56针数：56
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.51
最长访问时间：95 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：BOTTOMJESD-30 代码：R-PDSO-G56
长度：18.4 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：56
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

TE28F256P33B95A 数据手册

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Numonyx® AxcellTM Flash Memory (P33-  
65nm)  
256-Mbit, 512-Mbit (256M/256M)  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance:  
„ Security:  
— 95ns initial access time for Easy BGA  
— 105ns initial access time for TSOP  
— 25ns 16-word asynchronous-page read  
mode  
— 52MHz (Easy BGA) with zero wait states,  
17ns clock-to-data output synchronous-  
burst read mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word options  
for burst mode  
— One-Time Programmable Registers:  
— 64 unique factory device identifier bits  
— 2112 user-programmable OTP bits  
— Absolute write protection: VPP = VSS  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down capability  
— Password Access feature  
„ Software:  
— Buffered Enhanced Factory Programming at  
2.0MByte/s (typ) using 512-word buffer  
— 3.0V buffered programming at 1.14 MByte/  
s (Typ) using 512-word buffer  
— 25µs (Typ) program suspend  
— 25µs (Typ) erase suspend  
— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized  
— Basic Command Set and Extended Function  
Interface Command Set compatible  
— Common Flash Interface capable  
„ Architecture:  
— Multi-Level Cell Technology: Highest  
Density at Lowest Cost  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or  
bottom configuration  
— 128-KByte main blocks  
— Blank Check to verify an erase block  
„ Density and Packaging  
— 56-Lead TSOP package (256-Mbit only)  
— 64-Ball Easy BGA package (256, 512-Mbit)  
— 16-bit wide data bus  
„ Quality and Reliability  
„ Voltage and Power:  
— JESD47E Compliant  
— VCC (core) voltage: 2.3 V – 3.6 V  
— VCCQ (I/O) voltage: 2.3 V – 3.6 V  
— Standby current: 65uA (Typ) for 256-Mbit  
— Continuous synchronous read current: 21  
mA (Typ)/24 mA (Max) at 52 MHz  
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— 65nm ETOX™ X process technology  
Datasheet  
1
Mar 2010  
Order Number: 320003-09  
1234567...88

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