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TE28F256J3F105A

更新时间： 2024-11-14 19:59:55
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
66页 711K
描述
Flash, 16MX16, 105ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56

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TE28F256J3F105A 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：14 X 20 MM, TSOP-56针数：56
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.51
最长访问时间：105 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G56长度：18.4 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：56字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

TE28F256J3F105A 数据手册

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Numonyx™ StrataFlash® Embedded Memory  
(J3-65nm)  
256-Mbit  
Datasheet  
Product Features  
„ Architecture  
„ Security  
— Multi-Level Cell Technology: Highest  
Density at Lowest Cost  
— Enhanced security options for code  
protection  
— 256 symmetrically-sized blocks of 128  
Kbytes  
„ Performance  
— Absolute protection with VPEN = GND  
— Individual block locking  
— Block erase/program lockout during power  
transition  
— 95 ns initial access time for Easy BGA  
— 105 ns initial accsss time for TSOP  
— Password Access feature  
— 25 ns 16-word Asynchronous page-mode  
reads  
— 512-Word Buffer Programming at  
1.46MByte/s (Typ)  
— One-Time Programmable Register:  
64 OTP bits, programmed with unique  
information by Numonyx  
64 OTP bits, available for customer  
programming  
„ Software  
— 20 µs (Typ) program suspend  
— 20 µs (Typ) erase suspend  
— Numonyx™ Flash Data Integrator (FDI)  
— Common Flash Interface (CFI) Compatible  
„ Packaging  
„ Voltage and Power  
— VCC (Core) = 2.7 V to 3.6 V  
— VCCQ (I/O) = 2.7 V to 3.6 V  
— Standby Current: 65 µA (Typ)  
— Erase & Program Current: 35 mA (Typ)  
— Page Read: 12 mA (Typ)  
„ Quality and Reliability  
— 56-Lead TSOP  
— 64-Ball Easy BGA package  
— Operating temperature:  
-40 °C to +85 °C  
— 100K Minimum erase cycles per block  
— 65 nm NumonyxTM ETOX™ X Process  
technology  
319942-02  
December 2008  
1234567...66

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TE28F256M29EWLA MICRON

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 		Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F256P30B95 NUMONYX

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 		Numonyx StrataFlash Embedded Memory
TE28F256P30B95A NUMONYX

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