5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > 闪存> TE28F160B3B110
TE28F160B3B110 PDF预览

TE28F160B3B110

更新时间： 2024-01-17 23:42:19
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
48页 296K
描述
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY

阅读下载

中文翻译

获取价格

TE28F160B3B110 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.74
Is Samacsys：N最长访问时间：110 ns
其他特性：USER-SELECTABLE 12V VPP; BOTTOM BOOT BLOCK启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,31端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：1.8/3.6,3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：4K,32K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：MOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

TE28F160B3B110 数据手册

 浏览型号TE28F160B3B110的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TE28F160B3B110的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TE28F160B3B110的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TE28F160B3B110的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TE28F160B3B110的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TE28F160B3B110的Datasheet PDF文件第7页 
PRELIMINARY  
E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK  
4-, 8-, 16-, 32-MBIT  
FLASH MEMORY FAMILY  
28F400B3, 28F800B3, 28F160B3, 28F320B3  
28F008B3, 28F016B3, 28F032B3  
Flexible SmartVoltage Technology  
Flash Data Integrator Software  
Flash Memory Manager  
2.7 V–3.6 V Read/Program/Erase  
12 V VPP Fast Production  
Programming  
System Interrupt Manager  
Supports Parameter Storage,  
Streaming Data (e.g., Voice)  
2.7 V or 1.65 V I/O Option  
Reduces Overall System Power  
Automated Program and Block Erase  
Status Registers  
High Performance  
2.7 V–3.6 V: 90 ns Max Access Time  
3.0 V–3.6 V: 80 ns Max Access Time  
Extended Cycling Capability  
Minimum 100,000 Block Erase  
Cycles Guaranteed  
Optimized Block Sizes  
Eight 8-KB Blocks for Data,  
Top or Bottom Locations  
Up to Sixty-Three 64-KB Blocks for  
Code  
Automatic Power Savings Feature  
Typical ICCS after Bus Inactivity  
Standard Surface Mount Packaging  
48-Ball µBGA* Package  
Block Locking  
48-Lead TSOP Package  
40-Lead TSOP Package  
VCC-Level Control through WP#  
Low Power Consumption  
Footprint Upgradeable  
Upgrade Path for 4-, 8-, 16-, and 32-  
Mbit Densities  
10 mA Typical Read Current  
Absolute Hardware-Protection  
VPP = GND Option  
ETOX™ VI (0.25 µ) Flash Technology  
VCC Lockout Voltage  
Extended Temperature Operation  
–40 °C to +85 °C  
The Smart 3 Advanced Boot Block, manufactured on Intel’s latest 0.25 µ technology, represents a feature-  
rich solution at overall lower system cost. Smart 3 flash memory devices incorporate low voltage capability  
(2.7 V read, program and erase) with high-speed, low-power operation. Several new features have been  
added, including the ability to drive the I/O at 1.65 V, which significantly reduces system active power and  
interfaces to 1.65 V controllers. A new blocking scheme enables code and data storage within a single  
device. Add to this the Intel-developed Flash Data Integrator (FDI) software, and you have a cost-effective,  
monolithic code plus data storage solution. Smart 3 Advanced Boot Block products will be available in 40-  
lead and 48-lead TSOP and 48-ball µBGA* packages. Additional information on this product family can be  
obtained by accessing Intel’s WWW page: http://www.intel.com/design/flash.  
July 1998  
Order Number: 290580-005  
1234567...48

中文翻译

下载PDF

与TE28F160B3B110相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TE28F160B3B120 INTEL

获取价格

 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3-B120 INTEL

获取价格

 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3B150 INTEL

获取价格

 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3-B150 INTEL

获取价格

 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F160B3B90 INTEL

获取价格

 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F160B3BA110 INTEL

获取价格

 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F160B3BA90 INTEL

获取价格

 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
TE28F160B3BC70 INTEL

获取价格

 		3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F160B3BC80 INTEL

获取价格

 		3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory
TE28F160B3T110 INTEL

获取价格

 		SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY

与TE28F160B3B110相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证