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Datasheet > 存储 > 闪存> TE28F128J3D75E
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TE28F128J3D75E

更新时间： 2024-01-03 11:21:08
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路存储闪存
页数 文件大小 规格书
66页 959K
描述
Flash, 8MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56

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TE28F128J3D75E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：14 X 20 MM, TSOP-56针数：56
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.67
最长访问时间：75 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G56长度：18.4 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：56
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：220
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

TE28F128J3D75E 数据手册

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®
Intel Embedded Flash Memory (J3 v. D)  
32, 64, 128, and 256 Mbit (Monolithic)  
Datasheet  
Product Features  
„ Architecture  
„ Security  
— Symmetrical 128-Kbyte blocks  
— 256 Mbit (256 blocks)  
— 128 Mbit (128 blocks)  
— 64 Mbit (64 blocks)  
— 32 Mbit (32 blocks)  
— Enhanced security options for code  
protection  
— 128-bit Protection Register:  
64-bits Unique device identifier bits  
64-bits User-programmable OTP bits  
— Absolute protection with VPEN = GND  
— Individual block locking  
„ Performance  
— Block erase/program lockout during power  
transitions  
— 75 ns Initial Access Speed (32,64,128  
Mbit densities)  
— 95 ns Initial Access Speed (256Mbit only)  
— 25 ns 8-word and 4-word Asynchronous  
page-mode reads  
„ Software  
— Program and erase suspend support  
— Flash Data Integrator (FDI), Common Flash  
Interface (CFI) Compatible  
— 32-Byte Write buffer;  
4 µs per Byte Effective programming time  
„ Quality and Reliability  
„ System Voltage  
— Operating temperature:  
-40 °C to +85 °C  
— 100K Minimum erase cycles per block  
— 0.13 µm ETOX™ VIII Process technology  
— VCC = 2.7 V to 3.6 V  
— VCCQ = 2.7 V to 3.6 V  
„ Packaging  
— 56-Lead TSOP (32, 64, 128, 256 Mbit)  
— 64-Ball Intel® Easy BGA package (32, 64,  
128 and 256 Mbit)  
Document Number: 316577-006  
December 2007  
1234567...66

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TE28F128J3F75 NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, TSOP-56
TE28F128J3F75A MICRON

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 		32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC)
TE28F128M29EWLA MICRON

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