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TE28F008B3B90

更新时间： 2024-02-05 22:24:08

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英特尔 - INTEL		闪存
页数	文件大小	规格书
48页	296K
描述
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY

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TE28F008B3B90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	10 X 20 MM, TSOP-40
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.35	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	USER-SELECTABLE 12V VPP; BOTTOM BOOT BLOCK	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8,15	端子数量：	40
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP40,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/3.6,3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	8K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.035 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

TE28F008B3B90 数据手册

PRELIMINARY

SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK

4-, 8-, 16-, 32-MBIT

FLASH MEMORY FAMILY

28F400B3, 28F800B3, 28F160B3, 28F320B3

28F008B3, 28F016B3, 28F032B3

Flexible SmartVoltage Technology

Flash Data Integrator Software

Flash Memory Manager

2.7 V–3.6 V Read/Program/Erase

12 V V_PPFast Production

Programming

System Interrupt Manager

Supports Parameter Storage,

Streaming Data (e.g., Voice)

2.7 V or 1.65 V I/O Option

Reduces Overall System Power

Automated Program and Block Erase

Status Registers

High Performance

2.7 V–3.6 V: 90 ns Max Access Time

3.0 V–3.6 V: 80 ns Max Access Time

Extended Cycling Capability

Minimum 100,000 Block Erase

Cycles Guaranteed

Optimized Block Sizes

Eight 8-KB Blocks for Data,

Top or Bottom Locations

Up to Sixty-Three 64-KB Blocks for

Code

Automatic Power Savings Feature

Typical I_CCSafter Bus Inactivity

Standard Surface Mount Packaging

48-Ball µBGA* Package

Block Locking

48-Lead TSOP Package

40-Lead TSOP Package

V_CC-Level Control through WP#

Low Power Consumption

Footprint Upgradeable

Upgrade Path for 4-, 8-, 16-, and 32-

Mbit Densities

10 mA Typical Read Current

Absolute Hardware-Protection

V_PP= GND Option

ETOX™ VI (0.25 µ) Flash Technology

V_CCLockout Voltage

Extended Temperature Operation

–40 °C to +85 °C

The Smart 3 Advanced Boot Block, manufactured on Intel’s latest 0.25 µ technology, represents a feature-

rich solution at overall lower system cost. Smart 3 flash memory devices incorporate low voltage capability

(2.7 V read, program and erase) with high-speed, low-power operation. Several new features have been

added, including the ability to drive the I/O at 1.65 V, which significantly reduces system active power and

interfaces to 1.65 V controllers. A new blocking scheme enables code and data storage within a single

device. Add to this the Intel-developed Flash Data Integrator (FDI) software, and you have a cost-effective,

monolithic code plus data storage solution. Smart 3 Advanced Boot Block products will be available in 40-

lead and 48-lead TSOP and 48-ball µBGA* packages. Additional information on this product family can be

obtained by accessing Intel’s WWW page: http://www.intel.com/design/flash.

July 1998

Order Number: 290580-005

12 3 4 5 6 7...48

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