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TDM30010E3

更新时间: 2023-01-03 01:49:36
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 300A, 1000V V(RRM), Silicon,

TDM30010E3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-XUFM-X2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.61
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X2最大非重复峰值正向电流:5500 A
元件数量:2相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:300 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:250 µA最大反向恢复时间:5 µs
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER

TDM30010E3 数据手册

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