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TDM30006AE3

更新时间: 2023-02-15 00:00:00
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 300A, 600V V(RRM), Silicon,

TDM30006AE3 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.61应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 VJESD-30 代码:R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流:5500 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:300 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:250 µA
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER

TDM30006AE3 数据手册

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