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1N485

更新时间: 2024-01-23 22:54:43
品牌 Logo 应用领域
东电化 - TDK 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 73K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 180V V(RRM)

1N485 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:NOT APPLICABLE
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE最大功率耗散:0.5 W
认证状态:COMMERCIAL最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLEBase Number Matches:1

1N485 数据手册

  

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