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1N4447

更新时间: 2024-02-24 18:55:03
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东电化 - TDK 二极管
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1页 41K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM)

1N4447 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:0.025 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N4447 数据手册

  

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