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TD62M4503AFN

更新时间: 2024-11-24 22:53:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体驱动器小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 136K
描述
POWER MOS FET 4CH SINK DRIVER

TD62M4503AFN 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SSOP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.37
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.8 A最大漏极电流 (ID):0.8 A
最大漏源导通电阻:1.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G24元件数量:4
端子数量:24工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:0.89 W最大功率耗散 (Abs):0.78 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TD62M4503AFN 数据手册

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