Datasheet > TD330N12KOF

TD330N12KOF

更新时间： 2024-11-20 05:08:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	571K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TD330N12KOF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	MODULE-5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.69
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流：	200 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
快速连接描述：	G-GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
最大维持电流：	300 mA	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
最大漏电流：	70 mA	通态非重复峰值电流：	9100 A
元件数量：	1	端子数量：	5
最大通态电流：	330000 A	最高工作温度：	135 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	520 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TD330N12KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT330N

Phase Control Thyristor Module

TT330N

TD330N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

1200

1300

1400 V

1600 V

V_DRM,V_RRM

1400 V

1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

1500 V

1700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

520 A

330 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85°C

9100 A

8000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

414000 A²s

320000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

250 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,44 V

0,80 V

0,60 mΩ

200 mA

2 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_T= 800 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,2 V

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

max.

300 mA

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1200 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

70 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

gate controlled delay time

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication:

revision:

19.01.06

prepared by:

approved by: M. Leifeld

BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling

A 01/06

1/13

Seite/page

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

TD330N12KOF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TD330N16KOF	INFINEON	类似代替	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-

与TD330N12KOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TD330N14KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E
TD330N16AOF	INFINEON	获取价格	Thyristor/Diode 50 mm Power Block 1600 V, 330 A module for phase control with high reliabl
TD330N16KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD330N16KOF TIM	INFINEON	获取价格	TIM
TD330N16KOF_TIM	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
TD330N16KOFHPSA2	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD330N16KOFTIMHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD330N18AOF	INFINEON	获取价格	Thyristor/Diode 50 mm Power Block 1800 V, 330 A module for phase control with high reliabl
TD3335020MC71	VISHAY	获取价格	CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 20V, 3.3uF, SURFACE MOUNT, 2209, CHIP
TD33C	ETC	获取价格	250mA低压差电压稳压器IC SOT89 高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有过流和短

与TD330N12KOF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TD330N12KOF

TD330N12KOF 技术参数

TD330N12KOF 数据手册

TD330N12KOF 替代型号

与TD330N12KOF相关器件

与TD330N12KOF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TD330N12KOF

TD330N12KOF 技术参数

TD330N12KOF 数据手册

TD330N12KOF 替代型号

与TD330N12KOF相关器件

与TD330N12KOF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？