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TD150N26KOF

更新时间： 2024-11-17 15:18:39

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Thyristor/ Diode 50 mm Power Block 2600 V, 150 A module for phase control?in?pressure contact technology?

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TD150N26KOF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.28
外壳连接：	ISOLATED	标称电路换相断开时间：	300 µs
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	200 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
最大维持电流：	300 mA	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
最大漏电流：	50 mA	通态非重复峰值电流：	4500 A
元件数量：	2	端子数量：	5
最大通态电压：	2.6 V	最大通态电流：	223000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大均方根通态电流：	350 A	断态重复峰值电压：	2600 V
重复峰值反向电压：	2600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR

TD150N26KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT150N

Phase Control Thyristor Module

TT150N

TD150N

DT150N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

2000

2400

2200 V

2600 V

V_DRM,V_RRM

2000

2400

2200 V

2600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

2100

2500

2300 V

2700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

350 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

150 A

223 A

T_C= 85°C

T_C= 54°C

4500 A

4000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

102000 A²s

80000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

60 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

2,6 V

1,2 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 600 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

2,3 mΩ

200 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,2 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

I_L

max. 1200 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

50 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication: 23.09.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec

A513MT3

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