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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> TCMBR10100CT
TCMBR10100CT PDF预览

TCMBR10100CT

更新时间： 2024-11-25 06:03:07
品牌 Logo 应用领域
TAK_CHEONG 整流二极管肖特基二极管瞄准线高压功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 108K
描述
10A SCHOTTKY BARRIER DIODE Dual High Voltage Schottky Rectifier

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TCMBR10100CT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.31
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

TCMBR10100CT 数据手册

 浏览型号TCMBR10100CT的Datasheet PDF文件第2页 
TAK CHEONG®  
SEMICONDUCTOR  
10A SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Dual High Voltage Schottky Rectifier  
Specification Features:  
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
ƒ
High Voltage Wide Range Selection, 100V, 150V & 200V  
High Switching Speed Device  
Low Forward Voltage Drop  
1
2
3
TO-220AB  
Low Power Loss and High Efficiency  
Guard Ring for Over-voltage Protection  
High Surge Capability  
1. Anode  
POLARITY CONFIGURATION  
DEVICE MARKING DESIGNATION:  
Line 1 & 2= Device Name  
Line 3 = Datecode  
Line 4 = Polarity  
3. Anode  
2. Cathode  
RoHS Compliant  
Matte Tin(Sn) Lead Finish  
Terminal Leads Surface is Corrosion Resistant  
and can withstand to 260°C Wave Soldering or  
per MIL-STD-750, Method 2026.  
MAXIMUM RATINGS (Per Leg, unless otherwise specified )  
Symbol  
Parameter  
TCMBR10100CT  
TCMBR10150CT  
TCMBR10200CT  
Units  
VRRM  
VRWM  
VR  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
Maximum DC Reverse Voltage  
100  
150  
200  
V
Average Rectified Forward Current  
Per Leg  
IF(AV)  
5
10  
A
A
Per Package  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3mS Single Phase @ Rated Load  
IFSM  
80  
TSTG  
TJ  
Storage Temperature Range  
-65 to +175  
+175  
°C  
°C  
Operating Junction Temperature  
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
THERMAL CHARACTERISTIC  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
Maximum Thermal Resistance,  
Junction-to-Case  
1.5  
°C/W  
RθJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Leg)  
TA = 25°C unless otherwise noted  
TCMBR10100CT TCMBR10150CT  
TCMBR10200CT  
Test Condition  
Symbol  
Parameter  
Units  
(Note 1)  
Min  
---  
Max  
100  
Min  
---  
Max  
100  
Min  
---  
Max  
100  
0.950  
1
IR  
Reverse Current  
Forward Voltage  
@ rated VR  
IF = 5A  
µA  
0.850  
0.900  
0.900  
0.950  
VF  
---  
---  
---  
V
IF = 10A  
Note/s:  
1.  
Tested under pulse condition of 300µS.  
May 2008 Release, Revision C  
Page 1  
12

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与TCMBR10100CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TCMBR10150CT TAK_CHEONG

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 		10A SCHOTTKY BARRIER DIODE Dual High Voltage Schottky Rectifier
TCMBR10200CT TAK_CHEONG

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TCMBR20100CT TAK_CHEONG

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TCMBR2060 TAK_CHEONG

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 		20A SCHOTTKY BARRIER DIODE High Current Schottky Rectifier
TCMD-02-02 SAMTEC

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 		Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, IDC/Solder Terminal
TCMD-02-D-06.00-01 SAMTEC

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 		Cable Assembly, 28AWG,
TCMD-03-01 SAMTEC

获取价格

 		Board Connector, 6 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, IDC/Solder Terminal
TCMD-03-D-04.00-01 SAMTEC

获取价格

 		Interconnection Device, LEAD FREE

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