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TCBAV101 PDF预览

TCBAV101

更新时间： 2024-05-23 22:21:26
品牌 Logo 应用领域
德昌 - TC /
页数 文件大小 规格书
2页 61K
描述
LL-34

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TCBAV101 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-213AC
包装说明：O-LELF-R2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.47
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-213ACJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：4 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：250 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

TCBAV101 数据手册

 浏览型号TCBAV101的Datasheet PDF文件第2页 
®
TAK CHEONG  
SEMICONDUCTOR  
500 mW LL-34 Hermetically  
Sealed Glass – High Voltage  
Switching Diodes  
SURFACE MOUNT  
LL34  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VRRM  
TSTG  
Parameter  
Value  
Units  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Storage Temperature Range  
250  
-65 to +175  
175  
V
DEVICE MARKING DIAGRAM  
°C  
°C  
mA  
TJ  
Operating Junction Temperature  
Average Rectified Forward Current  
IF (AV)  
IFSM  
200  
Non-repetitive Peak Forward Current  
Pulse Width = 1.0 Second  
1.0  
4.0  
A
A
Pulse Width = 1.0 µsecond  
Cathode Band Color : Black  
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Value  
Units  
PD  
500  
350  
mW  
RθJA  
°C/W  
Specification Features:  
§ LL-34 (Mini-MELF) Package  
§ Surface Device Type Mounting  
§ Hermetically Sealed Glass  
§ Compression Bonded Construction  
Cathode  
Anode  
§ All External Surfaces Are Corrosion Resistant And Terminals Are Readily Solderable  
§ RoHS Compliant  
ELECTRICAL SYMBOL  
§ Matte Tin (Sn) Lead Finish  
§ Color band Indicates Negative Polarity  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Limits  
Symbol  
Test Condition  
IR=100µA  
Unit  
Min  
Max  
---  
BV  
Breakdown Voltage  
TCBAV100  
TCBAV101  
TCBAV102  
TCBAV103  
TCBAV100  
TCBAV101  
TCBAV102  
TCBAV103  
60  
120  
200  
250  
---  
Volts  
Volts  
Volts  
Volts  
nA  
---  
---  
---  
IR  
Reverse Leakage Current  
VR=50V  
100  
100  
100  
100  
VR=100V  
VR=150V  
VR=200V  
---  
nA  
---  
nA  
---  
nA  
VF  
Forward Voltage  
IF=100mA  
IF=IR=30mA,  
RL=100W  
IRR=3mA  
---  
---  
---  
1.0  
Volts  
TRR  
Reverse Recovery Time  
50  
nS  
C
Capacitance  
VR=0V, f=1MHZ  
5.0  
pF  
Number: DB-060  
Jun.2016 / E  
Page 1  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TCBAV101R13 TAK_CHEONG

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, GLASS, LL-34, MINIMELF-2
TCBAV102 TAK_CHEONG

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 		500 mW LL-34 Hermetically Sealed Glass - High Voltage Switching Diodes
TCBAV102 TC

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 		LL-34
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