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TC8185

更新时间: 2024-11-01 14:27:07
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 263K
描述
Standard SRAM, 1KX8, 300ns, MOS, CDIP18

TC8185 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:300 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:8192 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端口数量:1, (MUXED)端子数量:18
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

TC8185 数据手册

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