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TC7WZ38FK

更新时间： 2024-01-10 01:24:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅
页数 文件大小 规格书
7页 197K
描述
CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic Dual 2 Input NAND Gate (Open Drain)

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TC7WZ38FK 技术参数

生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SOIC
包装说明：LSSOP, TSSOP8,.16针数：8
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.67Is Samacsys：N
系列：LVC/LCX/ZJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：2.9 mm
逻辑集成电路类型：NAND GATE最大I（ol）：0.024 A
功能数量：2输入次数：2
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：OPEN-DRAIN
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.16封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH电源：3.3 V
传播延迟（tpd）：9.6 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.3 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：2.8 mm
Base Number Matches：1

TC7WZ38FK 数据手册

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TC7WZ38FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WZ38FU,TC7WZ38FK  
Dual 2 Input NAND Gate (Open Drain)  
Features  
•
•
High output drive: ±24 mA (min) at  
V
= 3 V  
CC  
TC7WZ38FU  
Super high speed operation: t = 2.2 ns (typ.)  
pZL  
at  
V
= 5 V, 50 pF  
CC  
•
•
•
•
Operation voltage range: V  
5.5-V tolerant inputs  
= 1.65~5.5 V  
CC (opr)  
5.5-V power down protection outputs  
Matches the performance of TC74LCX series when operated at  
3.3-V V  
CC  
TC7WZ38FK  
Marking  
SM8  
Z 38  
US8  
Type name  
Lot No.  
WZ  
38  
Weight  
SSOP8-P-0.65  
SSOP8-P-0.50A  
: 0.02 g (typ.)  
: 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Power supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−0.5~6  
−0.5~6  
−0.5~6  
−20  
V
CC  
DC input voltage  
V
V
IN  
1A  
1B  
V
CC  
1
2
3
4
8
7
6
5
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
V
OUT  
1Y  
2B  
2A  
I
mA  
mA  
mA  
mA  
IK  
2Y  
I
−20  
OK  
GND  
I
50  
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
±50  
CC  
300 (SM8)  
200 (US8)  
Power dissipation  
P
mW  
D
Storage temperature  
T
−65~150  
°C  
°C  
stg  
Lead temperature (10s)  
T
260  
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2007-11-01  
1234567

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