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TC7WG00FK

更新时间： 2024-09-28 03:09:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 197K
描述
CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic Dual 2-Input NAND Gate

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TC7WG00FK 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOIC包装说明：0.50 MM, PLASTIC, SSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.66
Is Samacsys：N系列：LVP
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：2.3 mm负载电容（CL）：30 pF
逻辑集成电路类型：NAND GATE最大I（ol）：0.003 A
功能数量：2输入次数：2
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSSOP封装等效代码：TSSOP8,.12,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：1.2/3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：63.2 ns
传播延迟（tpd）：63.2 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：0.9 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：0.9 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL宽度：2 mm
Base Number Matches：1

TC7WG00FK 数据手册

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TC7WG00FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WG00FU,TC7WG00FK  
Dual 2-Input NAND Gate  
Features  
•
•
High-level output current:  
I
/I = ±8 mA (min)  
OH OL  
at V  
= 3 V  
CC  
TC7WG00FU  
High-speed operation: t = 2.5 ns (typ.)  
pd  
at V  
= 3.3 V,15pF  
CC  
•
•
•
Operating voltage range: V  
5.5-V tolerant inputs  
= 0.9~3.6 V  
CC  
3.6-V power down protection outputs  
TC7WG00FK  
Marking  
SM8  
G 00  
US8  
Product name  
Lot No.  
WG  
00  
Weight  
SSOP8-P-0.65 : 0.02 g (typ.)  
SSOP8-P-0.50A : 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Power supply voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
−0.5~4.6  
V
V
CC  
1A  
1B  
V
CC  
1
2
3
4
8
7
6
5
DC input voltage  
V
−0.5~7.0  
IN  
−0.5~4.6 (Note 1)  
1Y  
2B  
2A  
DC output voltage  
V
V
OUT  
−0.5~V  
+ 0.5 (Note 2)  
−20  
CC  
2Y  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
I
mA  
mA  
mA  
mA  
IK  
GND  
I
−20 (Note 3)  
±25  
OK  
I
OUT  
DC V  
/ ground current  
I
±50  
CC  
CC  
300 (SM8)  
200 (US8)  
Power dissipation  
P
mW  
°C  
D
Storage temperature  
T
stg  
−65~150  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1:  
Note 2:  
Note 3:  
V
= 0V  
CC  
High or Low State. I  
absolute maximum rating must be observed.  
OUT  
V
OUT  
< GND  
1
2007-11-01  
1234567

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