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TC7SZ86FU,LJ(CT

更新时间： 2024-11-24 13:14:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅
页数 文件大小 规格书
6页 151K
描述
IC GATE XOR 1CH 2-INP USV

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TC7SZ86FU,LJ(CT 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：TSSOP,Reach Compliance Code：unknown
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.58
系列：LVC/LCX/ZJESD-30 代码：R-PDSO-G5
长度：2 mm逻辑集成电路类型：XOR GATE
功能数量：1输入次数：2
端子数量：5最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH传播延迟（tpd）：13.5 ns
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：1.25 mm
Base Number Matches：1

TC7SZ86FU,LJ(CT 数据手册

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TC7SZ86AFS  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7SZ86AFS  
2-Input EXCLUSIVE OR Gate  
Features  
•
•
High output current  
: ±24mA (min) at V  
= 3.0V  
CC  
Super high speed operation : t = 2.6ns (typ.)  
pd  
at V  
= 5V, 50pF  
CC  
SON5-P-0.35  
•
•
Operating voltage range  
5.5-V tolerant inputs.  
: V  
= 1.6 to 5.5V  
(fSV)  
CC  
Weight: 0.001 g (typ)  
Marking  
Product name  
J 8  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−0.5 to 6  
−0.5 to 6  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
IN  
IN A  
GND  
IN B  
1
2
3
5
V
CC  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
DC VCC/ground current  
Power dissipation  
Storage temperature  
V
−0.5 to V  
+0.5  
V
OUT  
CC  
I
−20  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
±20  
±50  
±50  
50  
(Note1)  
OK  
I
OUT  
4
OUT Y  
I
CC  
P
D
T
stg  
−65 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note1: VOUT < GND, VOUT > VCC  
1
2009-09-09  
123456

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