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TC7SZ38FU

更新时间： 2024-11-24 04:28:47
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东芝 - TOSHIBA 栅极逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 189K
描述
2-Input NAND Gate(Open Drain Output)

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TC7SZ38FU 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SSOP
包装说明：0.65 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-5针数：5
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.4Is Samacsys：N
系列：LVC/LCX/ZJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e2长度：2 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.024 A功能数量：1
输入次数：2端子数量：5
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：OPEN-DRAIN封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP5/6,.08
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：5.2 ns传播延迟（tpd）：13.2 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

TC7SZ38FU 数据手册

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TC7SZ38F/FU  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7SZ38F,TC7SZ38FU  
2-Input NAND Gate(Open Drain Output)  
Features  
TC7SZ38F  
•
•
High output drive: 24 mA (min) @V  
= 3 V  
CC  
Super high speed operation:  
t
2.2 ns(typ.)@V  
= 5 V, 50 pF  
pz =  
CC  
•
•
•
•
Operation voltage range: V  
= 1.80~5.5 V  
CC (opr)  
5.5V tolerant inputs.  
Power down protection is provided on output.  
Matches the performance of TC74LCX series when operated  
at 3.3 V V  
.
CC  
TC7SZ38FU  
Marking  
Type name  
J D  
Weight  
SSOP5-P-0.95  
SSOP5-P-0.65A  
: 0.016 g (typ.)  
: 0.006 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Power supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−0.5~6  
−0.5~6  
−0.5~6  
−20  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
IN  
1
2
3
5
4
VCC  
IN A  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
V
OUT  
I
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
IN B  
I
−20  
OK  
I
50  
OUT Y  
OUT  
GND  
DC V /ground current  
CC  
I
±50  
CC  
Power dissipation  
P
200  
D
Storage temperature  
Lead temperature (10s)  
T
stg  
−65~150  
260  
T
°C  
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
1
2007-11-01  
1234567

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