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TC7SZ34AFS

更新时间： 2024-11-27 06:15:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 149K
描述
NON-INVERTER BUFFER

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TC7SZ34AFS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SON包装说明：VSOF,
针数：5Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.72
系列：LVC/LCX/ZJESD-30 代码：R-PDSO-F5
长度：1 mm逻辑集成电路类型：BUFFER
功能数量：1输入次数：1
端子数量：5最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSOF封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）：9.8 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.5 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：FLAT
端子节距：0.35 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：0.8 mm
Base Number Matches：1

TC7SZ34AFS 数据手册

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TC7SZ34AFS  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7SZ34AFS  
NON-INVERTER BUFFER  
Features  
•
•
High output current  
: ±24mA (min) at V = 3V  
CC  
Super high speed operation : t = 2.4ns (typ.)  
pd  
at V = 5V, 50 pF  
CC  
SON5-P-0.35  
•
•
Operating voltage range  
5.5-V tolerant input  
: V = 1.65 to 5.5V  
(fSV)  
CC  
Weight: 0.001 g (typ)  
Marking  
Product name  
J F  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−0.5 to 6  
−0.5 to 6  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
IN  
IN A  
GND  
NC  
1
2
3
5
V
CC  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
DC VCC/ground current  
Power dissipation  
Storage temperature  
V
−0.5 to V +0.5  
V
OUT  
CC  
I
−20  
±20 (Note1)  
±50  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
OK  
I
OUT  
4
OUT Y  
I
±50  
CC  
P
50  
D
T
stg  
−65 to 150  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1:  
V
OUT < GND, VOUT > VCC  
1
2009-09-09  
123456

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