是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 200 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.5 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | -10 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
编程电压: | 12 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.7 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8.8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TC58257AF-25 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 EEPROM 12V, 250 ns, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28, Programmable ROM | |
TC58257AF-25LV(TP2) | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 EEPROM 12V, 250 ns, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28, Programmable ROM | |
TC58257AP-17LV | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 EEPROM 12V, 170 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM | |
TC58257AP-20 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 EEPROM 12V, 200 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM | |
TC58257AP-20LV | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 EEPROM 12V, 200 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM | |
TC58257AP-25 | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 EEPROM 12V, 250 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM | |
TC58257AP-25LV | TOSHIBA |
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IC 32K X 8 EEPROM 12V, 250 ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28, Programmable ROM | |
TC5832DC | TOSHIBA |
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32 MBIT (4M x 8BIT) CMOS NAND E2PROM | |
TC5832FT | TOSHIBA |
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32 MBIT (4M X 8 BITS) CMOS NAND E2PROM | |
TC58512FT | TOSHIBA |
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TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |