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TC55WK818FF-333

更新时间: 2024-11-08 19:47:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 885K
描述
IC 512K X 18 CACHE SRAM, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM

TC55WK818FF-333 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
其他特性:LATE WRITEJESD-30 代码:R-PQFP-G100
长度:20 mm内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
功能数量:1端子数量:100
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX18
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.7 mm最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
宽度:14 mmBase Number Matches:1

TC55WK818FF-333 数据手册

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