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TC55WD836FF-167

更新时间: 2024-11-08 20:10:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 828K
描述
IC 256K X 36 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM

TC55WD836FF-167 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100
针数:100Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.74最长访问时间:3.5 ns
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e0
长度:20 mm内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:36
功能数量:1端子数量:100
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX36
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.7 mm
最大供电电压 (Vsup):2.625 V最小供电电压 (Vsup):2.375 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

TC55WD836FF-167 数据手册

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