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TC55WD836FF-133

更新时间: 2025-07-25 20:10:23
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东芝 - TOSHIBA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 828K
描述
IC 256K X 36 STANDARD SRAM, 4.2 ns, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.60 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100, Static RAM

TC55WD836FF-133 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.74最长访问时间:4.2 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:36功能数量:1
端子数量:100字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.7 mm最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:2.38 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.32 mA最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD宽度:14 mm
Base Number Matches:1

TC55WD836FF-133 数据手册

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