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TC55V020TR-10

更新时间: 2024-11-07 15:53:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 445K
描述
IC 256K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO40, 10 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-40, Static RAM

TC55V020TR-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1-R, TSSOP40,.56,20
针数:40Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTSI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
长度:12.4 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装等效代码:TSSOP40,.56,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified反向引出线:YES
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.000005 A
最小待机电流:1.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:10 mm
Base Number Matches:1

TC55V020TR-10 数据手册

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